Samsung'un QLC 9. nesil V-NAND'ı, yapay zeka iş yükleri için güç verimliliğini korurken daha yüksek depolama kapasitesi ve performans sunacak.
Birkaç ay önce Samsung, bit yoğunluğunda %50 artış sunan ilk TLC (Triple Level Cell) 9. nesil V-NAND'ın seri üretimine başladı. Bugün ise yapay zeka uygulamaları için yüksek performanslı ve güç tasarruflu çalışma sağlayan QLC 9. nesil V-NAND'ın seri üretimini duyurdu. QLC V-NAND, şu anda mümkün olan en yüksek katman sayısı ile sonuçlanan çeşitli teknolojilerin bir kombinasyonu ile üretilmektedir.
QLC veya Dört Seviyeli Hücre V-NAND, belleğin kompakt bir boyutta yüksek bir yoğunluğa ulaşmasını sağlarken okuma ve yazma işlemleri için daha iyi güvenilirlik sunmak üzere Kanal Delik Dağlama, Tasarlanmış Kalıp ve Tahmine Dayalı Program sunmaktadır.
Genel Müdür Yardımcısı ve Flash Ürün ve Teknoloji Başkanı SungHoi Hur şunları söyledi,
TLC versiyonundan sadece dört ay sonra QLC 9. nesil V-NAND'ın başarılı seri üretimine başlamamız, yapay zeka çağının ihtiyaçlarını karşılayan gelişmiş SSD çözümlerinden oluşan eksiksiz bir ürün yelpazesi sunmamızı sağlıyor,
Ayrıca, kurumsal SSD pazarının hızlı bir büyüme göstermesi ve yapay zeka uygulamalarını çalıştırmak için daha iyi donanımlara olan talebin artması nedeniyle Samsung'un depolama segmentindeki liderliğini sağlamlaştırma misyonunu da belirtti. Şirketin rakiplerinin önüne geçmesini sağlamak için QLC 9. nesil V-NAND, markalı tüketici ürünleriyle başlayacak ve seriyi UFS, PC'ler ve Sunucu SSD'lerine genişletecek.
- Samsung'un Kanal Delik Dağlama teknolojisi, çift yığınlı bir yapı ile sektördeki en yüksek katman sayısını elde etmek için kullanıldı
- QLC V-NAND, önceki nesil QLC V-NAND'a göre %86 daha yüksek yoğunluğa sahiptir
- Tasarlanmış Kalıbın benimsenmesi, veri saklama performansını önceki sürümlere kıyasla yaklaşık %20 oranında artırarak ürün güvenilirliğini geliştirmiştir.
- Samsung'un QLC 9. nesil V-NAND'ı, bu teknolojideki gelişmeler sayesinde yazma performansını iki katına çıkarmış ve veri giriş/çıkış hızını %60 oranında artırmıştır.
- Düşük Güç Tasarımı teknolojisinin kullanılmasıyla veri okuma ve yazma güç tüketimi sırasıyla yaklaşık %30 ve %50 oranında azalmıştır.
Kanal Delik Dağlama sayesinde şirket, istiflenmiş V-NAND hücrelerinde veri aktarımına izin vermek için dikey kanallar oluşturabiliyor. Bu teknoloji sayesinde Samsung, önceki NAND belleklere kıyasla daha yüksek katman sayısı sunabiliyor. Ayrıca Çift Yığın Yapısı ile bellek katmanları çip içinde iki ayrı yığın halinde düzenlenerek daha düşük ısı üretimi sağlanırken yoğunluk da %86 oranında artırılıyor.
Sırada, Kelime Satırlarının aralığını ayarlayacak ve katmanlar arasında hücrelerin homojenliğini sağlayacak olan Tasarlanmış Kalıp teknolojisi var. Bu, QLC V-NAND'ın tutarlı ve güvenilir performans elde etmesine yardımcı olacak ve veri tutmada neredeyse %20 iyileşme sunacaktır. Kullanılan bir diğer teknoloji de verilerin NAND hücrelerine yazılma şeklini optimize edecek olan Öngörücü Programdır. Bu, yazma işlemi sırasında hücrelerin durumunun tahmin edilmesi yoluyla gereksiz değişiklikleri önleyecek ve hem okuma hem de yazma verileri için yaklaşık %60 daha iyi performans sağlayacaktır.
Samsung, güç tasarruflu ve yüksek performanslı NAND sunarak yapay zeka pazarının taleplerini karşılama yolculuğuna devam ederken, mobil ve bilgi işlem cihazları için ürün yelpazesini de genişletiyor.
Kaynak: Samsung